MMRF1314HR5
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF POWER LDMOS TRANSISTOR 1200-1400 MHz, 1000 W Peak, 52 V
- 制造商：
- NXP Semiconductors
- 无铅情况/RoHS：
- 否
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | MMRF1314HR5 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | NI-1230H-4S-4 |
| 增益 | 17.7 dB |
| 技术 | SI |
| 输出功率 | 1 kW |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 500 mV, 105 V |
| Id-连续漏极电流 | 2.6 A |
库存：52,300
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 50
- 参考单价：
- ￥3,025.3791
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 50+ | ￥3,025.3791 | ￥151,268.9550 |
申请更低价? 请联系客服QQ 154861934
