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AGR21060EF

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2.11-2.17GHz13.5Watt Gain 14.5dB

制造商:
Advanced Semiconductor, Inc.
产品类别
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
无铅情况/RoHS:
无铅/符合RoHS
供货:
商城自营

文档与媒体

数据手册 AGR21060EF 点击下载

产品规格

产品属性 属性值
产品目录 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
封装 Tray
技术 SI

库存:53,970

交货地:
国内
最小包装:
10
参考单价:
¥585.5493
数量 单价(含税) 总计
10+ ¥585.5493 ¥5,855.4930
30+ ¥518.6246 ¥15,558.7380
50+ ¥468.4377 ¥23,421.8850
100+ ¥451.7087 ¥45,170.8700

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