图像仅供参考 请参阅产品规格
AGR21060EF
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2.11-2.17GHz13.5Watt Gain 14.5dB
- 无铅情况/RoHS:
- 无铅/符合RoHS
- 供货:
- 商城自营
文档与媒体
数据手册 | AGR21060EF 点击下载 |
---|
产品规格
产品属性 | 属性值 |
---|---|
产品目录 | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 |
封装 | Tray |
技术 | SI |
库存:53,970
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 10
- 参考单价:
- ¥585.5493
数量 | 单价(含税) | 总计 |
---|---|---|
10+ | ¥585.5493 | ¥5,855.4930 |
30+ | ¥518.6246 | ¥15,558.7380 |
50+ | ¥468.4377 | ¥23,421.8850 |
100+ | ¥451.7087 | ¥45,170.8700 |
申请更低价? 请联系客服