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MHT1803B
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 300W 200MHZ TO-247-3L
- 制造商:
- NXP Semiconductors
- 无铅情况/RoHS:
- 否
- 供货:
- 商城自营
文档与媒体
数据手册 | MHT1803B 点击下载 |
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产品规格
产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
最大工作温度 | + 150 C |
封装 / 箱体 | TO-247-3 |
增益 | 28.2 dB |
输出功率 | 300 W |
晶体管极性 | N-Channel |
库存:57,110
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 240
- 参考单价:
- ¥112.9602
数量 | 单价(含税) | 总计 |
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240+ | ¥112.9602 | ¥27,110.4480 |
480+ | ¥107.7512 | ¥51,720.5760 |
720+ | ¥102.5509 | ¥73,836.6480 |
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