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AGR18125EF

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.8-1.88GHz 125Watt Gain 13.5dB

制造商:
Advanced Semiconductor, Inc.
产品类别
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
无铅情况/RoHS:
无铅/符合RoHS
供货:
商城自营

文档与媒体

数据手册 AGR18125EF 点击下载

产品规格

产品属性 属性值
产品目录 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
封装 Tray
技术 SI

库存:51,895

交货地:
国内
最小包装:
10
参考单价:
¥704.8203
数量 单价(含税) 总计
10+ ¥704.8203 ¥7,048.2030
30+ ¥624.2692 ¥18,728.0760
50+ ¥563.8580 ¥28,192.9000
100+ ¥543.7180 ¥54,371.8000

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