图像仅供参考 请参阅产品规格

    MT3S113TU,LF

    射频(RF)双极晶体管 RF Bipolar Transistor .1A 900mW

    制造商:
    Toshiba
    产品类别
    射频(RF)双极晶体管
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 MT3S113TU,LF 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 射频(RF)双极晶体管
    安装风格 SMD/SMT
    系列 MT3S113TU
    封装 Cut Tape, Reel
    最大工作温度 + 150 C
    封装 / 箱体 UFM-3
    技术 SiGe
    配置 Single
    集电极—发射极最大电压 VCEO 5.3 V
    晶体管极性 NPN
    发射极 - 基极电压 VEBO 0.6 V
    直流集电极/Base Gain hfe Min 200
    集电极连续电流 100 mA
    晶体管类型 Bipolar

    库存:55,369

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥4.1514
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥4.1514 ¥4.1514
    10+ ¥3.3317 ¥33.3170
    100+ ¥2.2652 ¥226.5200
    1,000+ ¥1.7804 ¥1,780.4000
    3,000+ ¥1.5072 ¥4,521.6000
    9,000+ ¥1.4455 ¥13,009.5000
    24,000+ ¥1.4014 ¥33,633.6000

    申请更低价? 请联系客服QQ 154861934

    新品资讯