MT3S113(TE85L,F)
射频(RF)双极晶体管 RF Bipolar Transistor .1A 800mW
- 制造商:
- Toshiba
- 产品类别
- 射频(RF)双极晶体管
- 无铅情况/RoHS:
- 无铅/符合RoHS
- 供货:
- 商城自营
文档与媒体
数据手册 | MT3S113(TE85L,F) 点击下载 |
---|
产品规格
产品属性 | 属性值 |
---|---|
产品目录 | 射频(RF)双极晶体管 |
安装风格 | SMD/SMT |
系列 | MT3S113 |
封装 | Cut Tape, Reel |
最大工作温度 | + 150 C |
封装 / 箱体 | TO-236-3 |
技术 | SiGe |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压 VCEO | 5.3 V |
晶体管极性 | NPN |
发射极 - 基极电压 VEBO | 0.6 V |
直流集电极/Base Gain hfe Min | 200 |
集电极连续电流 | 100 mA |
晶体管类型 | Bipolar |
库存:57,273
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 1
- 参考单价:
- ¥4.5833
数量 | 单价(含税) | 总计 |
---|---|---|
1+ | ¥4.5833 | ¥4.5833 |
10+ | ¥3.6402 | ¥36.4020 |
100+ | ¥2.4679 | ¥246.7900 |
1,000+ | ¥1.9479 | ¥1,947.9000 |
3,000+ | ¥1.6482 | ¥4,944.6000 |
9,000+ | ¥1.5777 | ¥14,199.3000 |
24,000+ | ¥1.5336 | ¥36,806.4000 |
申请更低价? 请联系客服