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MMRF1008GHR5

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Pulse Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 960-1215 MHz, 275 W, 50 V

制造商:
NXP Semiconductors
产品类别
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
无铅情况/RoHS:
供货:
商城自营

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数据手册 MMRF1008GHR5 点击下载

产品规格

产品属性 属性值
产品目录 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
封装 Reel
技术 SI

库存:57,802

交货地:
国内
最小包装:
50
参考单价:
¥1,411.1302
数量 单价(含税) 总计
50+ ¥1,411.1302 ¥70,556.5100

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