图像仅供参考 请参阅产品规格
AFG24S100HR5
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Wideband RF Power GaN on SiC Transistor, 1-2700 MHz, 125 W CW, 50 V
- 制造商：
- NXP Semiconductors
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | AFG24S100HR5 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 |
| 封装 | Reel |
| 技术 | SI |
库存：52,505
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 50
- 参考单价：
- ￥2,065.4551
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 50+ | ￥2,065.4551 | ￥103,272.7550 |
申请更低价? 请联系客服QQ 154861934
