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    PTVA127002EV-V1-R0

    射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET

    制造商:
    Wolfspeed / Cree
    产品类别
    射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 PTVA127002EV-V1-R0 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
    安装风格 SMD/SMT
    封装 Reel
    最大工作温度 + 225 C
    封装 / 箱体 H-36275-4
    增益 16 dB
    技术 SI
    输出功率 700 W
    晶体管极性 N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 105 V
    Rds On-漏源导通电阻 100 mOhms

    库存:53,148

    交货地:
    国内
    最小包装:
    50
    参考单价:
    ¥2,530.4818
    数量 单价(含税) 总计
    50+ ¥2,530.4818 ¥126,524.0900

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