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    TGF2060

    射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-20GHz NF 1.4dB Gain 12dB P1dB 28dBm

    制造商:
    Qorvo
    产品类别
    射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

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    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
    安装风格 SMD/SMT
    封装 Gel Pack
    最小工作温度 - 65 C
    最大工作温度 + 150 C
    封装 / 箱体 Die
    增益 12 dB
    技术 GaAs
    Pd-功率耗散 2.1 W
    Vds-漏源极击穿电压 8 V
    Id-连续漏极电流 194 mA
    Vgs-栅源极击穿电压 - 3 V
    晶体管类型 pHEMT

    库存:50,998

    交货地:
    国内
    最小包装:
    100
    参考单价:
    ¥45.4185
    数量 单价(含税) 总计
    100+ ¥45.4185 ¥4,541.8500
    300+ ¥42.4482 ¥12,734.4600
    500+ ¥39.6542 ¥19,827.1000
    1,000+ ¥37.0541 ¥37,054.1000

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