CGH31240F
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 240W, GaN HEMT, 28V, 2.7-3.1GHz, IM FET, Flange
- 制造商：
- Cree, Inc.
- 无铅情况/RoHS：
- 否
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | CGH31240F 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 |
| 安装风格 | Flange Mount |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | 440201 |
| 增益 | 12 dB |
| 技术 | GaN |
| 输出功率 | 240 W |
| Pd-功率耗散 | 345 W |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 120 V |
| Id-连续漏极电流 | 24 A |
| Vgs-栅源极击穿电压 | - 10 V to 2 V |
| 晶体管类型 | HEMT |
库存：56,423
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥2,600.0066
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥2,600.0066 | ￥2,600.0066 |
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