TGF2819-FS
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-3.5GHz 32V GaN PAE 58% at 3.3GHz
- 制造商：
- Qorvo
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | TGF2819-FS 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tray |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 最大工作温度 | + 85 C |
| 封装 / 箱体 | NI-360 |
| 增益 | 14 dB |
| 技术 | GaN SiC |
| 输出功率 | 100 W |
| Pd-功率耗散 | 86 W |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 32 V |
| Id-连续漏极电流 | 7.32 A |
| Vgs-栅源极击穿电压 | - 2.9 V |
| 晶体管类型 | HEMT |
| 最大漏极/栅极电压 | 145 V |
