MW6S004NT1
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV6 1950MHZ 2W PLD1.5N
- 制造商：
- NXP Semiconductors
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | MW6S004NT1 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Cut Tape, MouseReel, Reel |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | PLD-1.5-3 |
| 增益 | 18 dB |
| 技术 | SI |
| 输出功率 | 4 W |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 68 V |
库存：59,566
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥73.6145
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥73.6145 | ￥73.6145 |
| 10+ | ￥64.8093 | ￥648.0930 |
| 100+ | ￥57.1323 | ￥5,713.2300 |
| 250+ | ￥54.3383 | ￥13,584.5750 |
| 500+ | ￥50.8127 | ￥25,406.3500 |
| 1,000+ | ￥46.9698 | ￥46,969.8000 |
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