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MRF6S20010GNR1
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV6 2GHZ 10W
- 制造商：
- NXP Semiconductors
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | MRF6S20010GNR1 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Cut Tape, MouseReel, Reel |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-270 |
| 技术 | SI |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 68 V |
库存：52,479
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥256.0908
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥256.0908 | ￥256.0908 |
| 10+ | ￥238.9916 | ￥2,389.9160 |
| 25+ | ￥228.9525 | ￥5,723.8125 |
| 50+ | ￥223.1264 | ￥11,156.3200 |
| 100+ | ￥207.4463 | ￥20,744.6300 |
| 250+ | ￥200.3246 | ￥50,081.1500 |
| 500+ | ￥190.2854 | ￥95,142.7000 |
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