ARF475FL
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 FG, MOSFET, 500V, T3A
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | ARF475FL 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 增益 | 15 dB |
| 技术 | SI |
| 输出功率 | 900 W |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
| Id-连续漏极电流 | 10 A |
库存：53,267
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥597.0075
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥597.0075 | ￥597.0075 |
| 2+ | ￥578.4804 | ￥1,156.9608 |
| 5+ | ￥578.2954 | ￥2,891.4770 |
| 10+ | ￥559.6449 | ￥5,596.4490 |
| 25+ | ￥538.5795 | ￥13,464.4875 |
| 50+ | ￥531.2639 | ￥26,563.1950 |
| 100+ | ￥486.6562 | ￥48,665.6200 |
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