MRF1511NT1
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET PLD1.5N
- 制造商：
- NXP Semiconductors
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | MRF1511NT1 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Cut Tape, MouseReel, Reel |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | PLD-1.5 |
| 增益 | 13 dB |
| 技术 | SI |
| 输出功率 | 8 W |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
| Id-连续漏极电流 | 4 A |
库存：58,358
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥72.1250
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥72.1250 | ￥72.1250 |
| 10+ | ￥63.5137 | ￥635.1370 |
| 100+ | ￥55.9513 | ￥5,595.1300 |
| 250+ | ￥53.2277 | ￥13,306.9250 |
| 500+ | ￥49.7550 | ￥24,877.5000 |
| 1,000+ | ￥45.6653 | ￥45,665.3000 |
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