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    2SK3079ATE12LQ

    射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch Radio Freq 3A 20W 10V VDSS

    制造商:
    Toshiba
    产品类别
    射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

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    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
    安装风格 SMD/SMT
    封装 Reel
    封装 / 箱体 PW-X-4
    增益 13.5 dB
    技术 SI
    输出功率 2.2 W
    晶体管极性 N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 10 V
    Id-连续漏极电流 3 A

    库存:58,606

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1000
    参考单价:
    ¥7.5624
    数量 单价(含税) 总计
    1,000+ ¥7.5624 ¥7,562.4000
    2,000+ ¥6.9983 ¥13,996.6000
    5,000+ ¥6.7515 ¥33,757.5000
    10,000+ ¥6.5047 ¥65,047.0000

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