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    MT3S111P(TE12L,F)

    射频(RF)双极晶体管 RF Bipolar Transistor .1A 1W

    制造商:
    Toshiba
    产品类别
    射频(RF)双极晶体管
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 MT3S111P(TE12L,F) 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 射频(RF)双极晶体管
    安装风格 SMD/SMT
    系列 MT3S111P
    封装 Cut Tape, Reel
    最大工作温度 + 150 C
    封装 / 箱体 SC-62-3
    技术 SiGe
    配置 Single
    集电极—发射极最大电压 VCEO 6 V
    晶体管极性 NPN
    发射极 - 基极电压 VEBO 0.6 V
    直流集电极/Base Gain hfe Min 200
    集电极连续电流 100 mA
    晶体管类型 Bipolar

    库存:56,990

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥5.7027
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥5.7027 ¥5.7027
    10+ ¥4.5657 ¥45.6570
    100+ ¥3.5080 ¥350.8000
    500+ ¥3.1025 ¥1,551.2500
    1,000+ ¥2.3710 ¥2,371.0000
    2,000+ ¥2.0977 ¥4,195.4000
    10,000+ ¥2.0096 ¥20,096.0000
    25,000+ ¥1.9567 ¥48,917.5000

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