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    TPV8100B

    射频(RF)双极晶体管 RF Transistor

    制造商:
    Advanced Semiconductor, Inc.
    产品类别
    射频(RF)双极晶体管
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 TPV8100B 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 射频(RF)双极晶体管
    安装风格 Screw Mount
    封装 Tray
    最小工作温度 - 65 C
    最大工作温度 + 200 C
    封装 / 箱体 398-03
    技术 SI
    集电极—发射极最大电压 VCEO 30 V
    晶体管极性 NPN
    发射极 - 基极电压 VEBO 4 V
    直流集电极/Base Gain hfe Min 30
    集电极连续电流 12 A
    晶体管类型 Bipolar Power

    库存:50,026

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥1,250.9005
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥1,250.9005 ¥1,250.9005
    10+ ¥1,147.8560 ¥11,478.5600
    25+ ¥1,030.1274 ¥25,753.1850
    50+ ¥912.3988 ¥45,619.9400

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