T2G6000528-Q3
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-6GHz 28V P3dB 10W @3.3GHz
- 制造商：
- Qorvo
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | T2G6000528-Q3 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tray |
| 封装 / 箱体 | NI-200 |
| 增益 | 15 dB |
| 技术 | GaN SiC |
| 输出功率 | 10 W |
| Pd-功率耗散 | 12.5 W |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Id-连续漏极电流 | 650 mA |
| 晶体管类型 | HEMT |
库存：59,574
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥498.1761
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥498.1761 | ￥498.1761 |
| 25+ | ￥421.6529 | ￥10,541.3225 |
| 100+ | ￥356.9053 | ￥35,690.5300 |
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