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    TGF2929-HM

    射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-3.5GHz 100W 28V Gain 17.4dB GaN

    制造商:
    Qorvo
    产品类别
    射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 TGF2929-HM 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
    安装风格 SMD/SMT
    封装 Waffle
    最小工作温度 - 40 C
    最大工作温度 + 85 C
    封装 / 箱体 NI-360
    增益 17.4 dB
    技术 GaN SiC
    输出功率 132 W
    Pd-功率耗散 140 W
    晶体管极性 N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 50 V
    Id-连续漏极电流 7.2 A
    Vgs-栅源极击穿电压 - 2.8 V
    晶体管类型 HEMT

    库存:54,600

    交货地:
    国内
    最小包装:
    25
    参考单价:
    ¥2,097.0533
    数量 单价(含税) 总计
    25+ ¥2,097.0533 ¥52,426.3325

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