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    NPT2021

    射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-2.5GHz 45W Gain 16.5dB GaN HEMT

    制造商:
    MACOM
    产品类别
    射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
    无铅情况/RoHS:
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

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    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
    安装风格 Screw Mount
    封装 Tray
    最小工作温度 - 40 C
    最大工作温度 + 85 C
    封装 / 箱体 TO-272
    增益 14.2 dB
    技术 GaN Si
    输出功率 45 W
    晶体管极性 N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 160 V
    Id-连续漏极电流 14 mA
    Vgs-栅源极击穿电压 3 V
    晶体管类型 HEMT

    库存:54,189

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥453.2511
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥453.2511 ¥453.2511
    2+ ¥445.8826 ¥891.7652
    5+ ¥436.3371 ¥2,181.6855
    10+ ¥429.3388 ¥4,293.3880
    25+ ¥396.0042 ¥9,900.1050
    50+ ¥381.6903 ¥19,084.5150
    100+ ¥369.7297 ¥36,972.9700

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