MRF24G300HSR5
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power GaN Transistor, 300 W CW over 2400-2500 MHz, 50 V
- 制造商：
- NXP Semiconductors
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | MRF24G300HSR5 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Cut Tape, Reel |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | NI-780H-4 |
| 增益 | 14.9 dB |
| 技术 | GaN SiC |
| 输出功率 | 307 W |
| 晶体管极性 | Dual N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 125 V |
| Id-连续漏极电流 | 24.3 mA |
库存：53,549
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥682.8911
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥682.8911 | ￥682.8911 |
| 5+ | ￥674.4649 | ￥3,372.3245 |
| 10+ | ￥647.5734 | ￥6,475.7340 |
| 25+ | ￥629.9101 | ￥15,747.7525 |
| 50+ | ￥621.5457 | ￥31,077.2850 |
| 100+ | ￥585.9195 | ￥58,591.9500 |
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