MMRF5017HSR5
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 50V GaN on Sic 90W CW 3MHz-1GHz
- 制造商：
- NXP Semiconductors
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | MMRF5017HSR5 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Cut Tape, Reel |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | NI-400S-2 |
| 技术 | GaN SiC |
| 输出功率 | 125 W |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 125 V |
| Id-连续漏极电流 | 200 mA |
库存：57,526
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥1,480.2232
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥1,480.2232 | ￥1,480.2232 |
| 5+ | ￥1,465.2217 | ￥7,326.1085 |
| 10+ | ￥1,417.6349 | ￥14,176.3490 |
| 25+ | ￥1,386.3452 | ￥34,658.6300 |
| 50+ | ￥1,379.3469 | ￥68,967.3450 |
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