MRFX600HR5
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Wideband RF Power LDMOS Transistor, 600 W CW over 1.8-400 MHz, 65 V
- 制造商：
- NXP Semiconductors
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | MRFX600HR5 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 |
| 安装风格 | Screw Mount |
| 封装 | Cut Tape, Reel |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | NI-780H-4L |
| 增益 | 26.4 dB |
| 技术 | SI |
| 输出功率 | 600 W |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 193 V |
| Id-连续漏极电流 | 32 A |
库存：52,591
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥812.8888
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥812.8888 | ￥812.8888 |
| 5+ | ￥809.9713 | ￥4,049.8565 |
| 10+ | ￥774.4069 | ￥7,744.0690 |
| 25+ | ￥757.8630 | ￥18,946.5750 |
| 50+ | ￥747.7004 | ￥37,385.0200 |
| 100+ | ￥719.4428 | ￥71,944.2800 |
申请更低价? 请联系客服
