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    MRF300AN

    射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V

    制造商:
    NXP Semiconductors
    产品类别
    射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 MRF300AN 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
    安装风格 Through Hole
    封装 Tube
    封装 / 箱体 TO-247-3
    技术 SI

    库存:54,377

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥231.0590
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥231.0590 ¥231.0590
    10+ ¥213.1490 ¥2,131.4900
    25+ ¥203.5505 ¥5,088.7625
    100+ ¥181.9827 ¥18,198.2700
    250+ ¥173.6182 ¥43,404.5500

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