MRF13750HR5
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power LDMOS Transistor 750 W
- 制造商：
- NXP Semiconductors
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | MRF13750HR5 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Cut Tape, Reel |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | NI-1230H-4 |
| 增益 | 20.5 dB |
| 技术 | SI |
| 输出功率 | 750 W |
| 晶体管极性 | Dual N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 500 mV, 105 V |
| Id-连续漏极电流 | 2.8 A |
库存：52,744
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥1,662.1441
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥1,662.1441 | ￥1,662.1441 |
| 5+ | ￥1,649.0024 | ￥8,245.0120 |
| 10+ | ￥1,592.0023 | ￥15,920.0230 |
| 25+ | ￥1,574.4008 | ￥39,360.0200 |
| 50+ | ￥1,574.4008 | ￥78,720.0400 |
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