MRF300BN
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
- 制造商：
- NXP Semiconductors
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | MRF300BN 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装 / 箱体 | TO-247-3 |
| 技术 | SI |
库存：52,185
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥278.9543
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥278.9543 | ￥278.9543 |
| 10+ | ￥259.4401 | ￥2,594.4010 |
| 25+ | ￥248.3433 | ￥6,208.5825 |
| 100+ | ￥224.1841 | ￥22,418.4100 |
| 250+ | ￥197.9096 | ￥49,477.4000 |
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