AFV10700HR5
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 700W 1030-1090MHz
- 制造商：
- NXP Semiconductors
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | AFV10700HR5 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Cut Tape, Reel |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | NI-780H-4 |
| 增益 | 19.2 dB |
| 技术 | SI |
| 输出功率 | 700 W |
| 晶体管极性 | Dual N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 500 mV, 105 V |
| Id-连续漏极电流 | 2.6 A |
库存：51,923
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥2,629.0047
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥2,629.0047 | ￥2,629.0047 |
| 5+ | ￥2,589.2271 | ￥12,946.1355 |
| 10+ | ￥2,549.7580 | ￥25,497.5800 |
| 25+ | ￥2,529.8648 | ￥63,246.6200 |
| 50+ | ￥2,490.3340 | ￥124,516.7000 |
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