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BF 999 E6327

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon N-Channel MOSFET Triode

制造商:
Infineon Technologies
产品类别
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
无铅情况/RoHS:
无铅/符合RoHS
供货:
商城自营

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产品规格

产品属性 属性值
产品目录 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
安装风格 SMD/SMT
封装 Cut Tape, MouseReel, Reel
最小工作温度 - 55 C
最大工作温度 + 150 C
封装 / 箱体 SOT-23
技术 SI
晶体管极性 N-Channel
Vds-漏源极击穿电压 20 V
Id-连续漏极电流 30 A

库存:51,755

交货地:
国内
最小包装:
1
参考单价:
¥2.7852
数量 单价(含税) 总计
1+ ¥2.7852 ¥2.7852
10+ ¥2.2035 ¥22.0350
100+ ¥1.2780 ¥127.8000
1,000+ ¥1.0401 ¥1,040.1000
3,000+ ¥0.8796 ¥2,638.8000
9,000+ ¥0.8611 ¥7,749.9000
24,000+ ¥0.8364 ¥20,073.6000
45,000+ ¥0.8118 ¥36,531.0000

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