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    PD57030-E

    射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch

    制造商:
    STMicroelectronics
    产品类别
    射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

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    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
    安装风格 SMD/SMT
    封装 Tube
    最小工作温度 - 65 C
    最大工作温度 + 150 C
    封装 / 箱体 PowerSO-10RF-Formed-4
    增益 14 dB
    技术 SI
    输出功率 30 W
    晶体管极性 N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 65 V
    Id-连续漏极电流 4 A

    库存:55,308

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥270.3430
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥270.3430 ¥270.3430
    5+ ¥266.8086 ¥1,334.0430
    10+ ¥252.2479 ¥2,522.4790
    25+ ¥241.6534 ¥6,041.3350
    50+ ¥235.5806 ¥11,779.0300
    100+ ¥216.4983 ¥21,649.8300
    250+ ¥208.9359 ¥52,233.9750

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