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    MRF24300NR3

    射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF POWER LDMOS TRANSISTOR, 2450 MHz, 300 W, 32 V

    制造商:
    NXP Semiconductors
    产品类别
    射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

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    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
    安装风格 SMD/SMT
    封装 Cut Tape, MouseReel, Reel
    最小工作温度 - 40 C
    最大工作温度 + 150 C
    封装 / 箱体 OM-780-2L
    增益 13.1 dB
    技术 SI
    输出功率 300 W
    晶体管极性 N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 - 500 mV, 65 V
    Id-连续漏极电流 3.7 A

    库存:55,199

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥775.7730
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥775.7730 ¥775.7730
    5+ ¥764.4294 ¥3,822.1470
    10+ ¥739.1509 ¥7,391.5090
    25+ ¥717.9620 ¥17,949.0500
    50+ ¥696.4558 ¥34,822.7900
    100+ ¥683.8783 ¥68,387.8300
    250+ ¥673.5306 ¥168,382.6500

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