图像仅供参考 请参阅产品规格

    MHT2001NR1

    射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS Integrated Power Amplifier for Consumer and Commercial Cooking, 902-928 MHz, 175 W CW, 50 V

    制造商:
    NXP Semiconductors
    产品类别
    射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 MHT2001NR1 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
    安装风格 SMD/SMT
    封装 Reel
    最大工作温度 + 150 C
    封装 / 箱体 TO-270WB-14
    增益 33.8 dB
    技术 SI
    晶体管极性 N-Channel

    库存:53,699

    交货地:
    国内
    最小包装:
    500
    参考单价:
    ¥390.4866
    数量 单价(含税) 总计
    500+ ¥390.4866 ¥195,243.3000

    申请更低价? 请联系客服

    新品资讯