图像仅供参考 请参阅产品规格

    MRF6V12500HR5

    射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 500W 50V NI780H

    制造商:
    NXP Semiconductors
    产品类别
    射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 MRF6V12500HR5 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
    安装风格 SMD/SMT
    封装 Reel
    最大工作温度 + 150 C
    封装 / 箱体 NI-780
    增益 18.5 dB
    技术 SI
    输出功率 50 W
    晶体管极性 N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 110 V

    库存:56,001

    交货地:
    国内
    最小包装:
    50
    参考单价:
    ¥2,177.0492
    数量 单价(含税) 总计
    50+ ¥2,177.0492 ¥108,852.4600

    申请更低价? 请联系客服

    新品资讯