图像仅供参考 请参阅产品规格

AGR19180EF

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.93-1.99GHz 38Watt Gain 14.5dB

制造商:
Advanced Semiconductor, Inc.
产品类别
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
无铅情况/RoHS:
无铅/符合RoHS
供货:
商城自营

文档与媒体

数据手册 AGR19180EF 点击下载

产品规格

产品属性 属性值
产品目录 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
封装 Tray
技术 SI

库存:50,287

交货地:
国内
最小包装:
10
参考单价:
¥780.7265
数量 单价(含税) 总计
10+ ¥780.7265 ¥7,807.2650
30+ ¥691.5024 ¥20,745.0720
50+ ¥624.5777 ¥31,228.8850
100+ ¥602.2782 ¥60,227.8200

申请更低价? 请联系客服

新品资讯