MRF6VP3091NBR5
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 50V 4.5W
- 制造商:
- NXP Semiconductors
- 无铅情况/RoHS:
- 无铅/符合RoHS
- 供货:
- 商城自营
文档与媒体
数据手册 | MRF6VP3091NBR5 点击下载 |
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产品规格
产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
最大工作温度 | + 125 C |
封装 / 箱体 | TO-272 |
增益 | 24 dB |
技术 | SI |
输出功率 | 90 W |
Vds-漏源极击穿电压 | 115 V |
库存:58,860
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 50
- 参考单价:
- ¥413.5353
数量 | 单价(含税) | 总计 |
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50+ | ¥413.5353 | ¥20,676.7650 |
100+ | ¥386.5820 | ¥38,658.2000 |
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