QPD1025
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1-1.1GHz 1800 Watt Gain 22.5dB 65V GaN
- 制造商：
- Qorvo
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | QPD1025 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 |
| 封装 | Tray |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 最大工作温度 | + 85 C |
| 封装 / 箱体 | NI-1230-4 |
| 增益 | 22.5 dB |
| 技术 | GaN SiC |
| 输出功率 | 1.862 kW |
| 晶体管极性 | Dual N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 65 V |
| Id-连续漏极电流 | 28 A |
库存：58,919
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 18
- 参考单价：
- ￥4,975.5823
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 18+ | ￥4,975.5823 | ￥89,560.4814 |
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