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AGR19060EF

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.93-1.99GHz 12Watt Gain 15.5dB

制造商:
Advanced Semiconductor, Inc.
产品类别
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
无铅情况/RoHS:
无铅/符合RoHS
供货:
商城自营

文档与媒体

数据手册 AGR19060EF 点击下载

产品规格

产品属性 属性值
产品目录 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
封装 Tray
技术 SI

库存:51,775

交货地:
国内
最小包装:
10
参考单价:
¥563.8580
数量 单价(含税) 总计
10+ ¥563.8580 ¥5,638.5800
30+ ¥499.4189 ¥14,982.5670
50+ ¥451.0829 ¥22,554.1450
100+ ¥434.9797 ¥43,497.9700

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