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    PD85006TR-E

    射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR Trans LdMOST N-Ch 6W 15dB 870MHz

    制造商:
    STMicroelectronics
    产品类别
    射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 PD85006TR-E 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
    安装风格 SMD/SMT
    封装 Reel
    最大工作温度 + 150 C
    封装 / 箱体 PowerSO-10RF-Formed-4
    增益 15 dB
    技术 SI
    输出功率 6 W
    晶体管极性 N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 40 V
    Id-连续漏极电流 2 A

    库存:58,377

    交货地:
    国内
    最小包装:
    600
    参考单价:
    ¥64.5626
    数量 单价(含税) 总计
    600+ ¥64.5626 ¥38,737.5600
    1,200+ ¥60.0410 ¥72,049.2000

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