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CE3512K2

射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C

制造商:
CEL
产品类别
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
无铅情况/RoHS:
无铅/符合RoHS
供货:
商城自营

文档与媒体

数据手册 CE3512K2 点击下载

产品规格

产品属性 属性值
产品目录 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
安装风格 SMD/SMT
封装 Bulk
最小工作温度 - 55 C
最大工作温度 + 125 C
技术 GaAs
Pd-功率耗散 125 mW
Vds-漏源极击穿电压 4 V
Id-连续漏极电流 10 mA
晶体管类型 pHEMT

库存:57,493

交货地:
国内
最小包装:
1
参考单价:
¥9.3605
数量 单价(含税) 总计
1+ ¥9.3605 ¥9.3605
10+ ¥7.1217 ¥71.2170
100+ ¥5.2091 ¥520.9100
500+ ¥4.4246 ¥2,212.3000
1,000+ ¥3.6402 ¥3,640.2000
2,500+ ¥3.3846 ¥8,461.5000
10,000+ ¥3.2524 ¥32,524.0000

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