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| 数据手册 | QPD1014SR 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Cut Tape, MouseReel, Reel |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 最大工作温度 | + 85 C |
| 封装 / 箱体 | DFN-8 |
| 增益 | 18.4 dB |
| 技术 | GaN SiC |
| 输出功率 | 12.5 W |
| Pd-功率耗散 | 15.8 W |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 50 V |
| Id-连续漏极电流 | 1 A |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 145 V |
| 晶体管类型 | HEMT |
| 最大漏极/栅极电压 | 55 V |
库存：56,959
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥359.3820
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥359.3820 | ￥359.3820 |
| 25+ | ￥316.0083 | ￥7,900.2075 |
| 100+ | ￥278.8309 | ￥27,883.0900 |
| 200+ | ￥254.0459 | ￥50,809.1800 |
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