MRFG35003N6AT1
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 3.5GHZ 3W 6V GAAS PLD1.5
- 制造商：
- NXP Semiconductors
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | MRFG35003N6AT1 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Cut Tape, MouseReel, Reel |
| 最大工作温度 | + 85 C |
| 封装 / 箱体 | PLD-1.5 |
| 增益 | 10 dB |
| 技术 | GaAs |
| Vds-漏源极击穿电压 | 8 V |
| Id-连续漏极电流 | 2.9 A |
| Vgs-栅源极击穿电压 | - 5 V |
| 晶体管类型 | pHEMT |
库存：57,875
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥127.2125
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥127.2125 | ￥127.2125 |
| 10+ | ￥112.0259 | ￥1,120.2590 |
| 100+ | ￥98.7080 | ￥9,870.8000 |
| 250+ | ￥93.8691 | ￥23,467.2750 |
| 500+ | ￥87.8051 | ￥43,902.5500 |
| 1,000+ | ￥80.5511 | ￥80,551.1000 |
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