T1G4004532-FL
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-35.GHz GaN 45w 32v Gain >19dB
- 制造商：
- Qorvo
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | T1G4004532-FL 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tray |
| 封装 / 箱体 | NI-360 |
| 技术 | GaN SiC |
| Pd-功率耗散 | 45 W |
| Vds-漏源极击穿电压 | 32 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 100 V |
库存：54,545
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥1,487.0981
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥1,487.0981 | ￥1,487.0981 |
| 25+ | ￥1,342.1078 | ￥33,552.6950 |
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