QPD2730
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 2.575-2.635GHz 48V 110/220 Watt GaN
- 制造商：
- Qorvo
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | QPD2730 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Waffle |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 最大工作温度 | + 85 C |
| 封装 / 箱体 | NI780-4 |
| 增益 | 16 dB |
| 技术 | GaN SiC |
| 输出功率 | 36 W |
| Pd-功率耗散 | 18.6 W |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 48 V |
| Id-连续漏极电流 | 210 mA |
| 晶体管类型 | HEMT |
| 最大漏极/栅极电压 | 55 V |
库存：59,648
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥1,025.7909
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥1,025.7909 | ￥1,025.7909 |
| 25+ | ￥895.2292 | ￥22,380.7300 |
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