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| 数据手册 | NPTB00004A 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tray |
| 最大工作温度 | + 200 C |
| 封装 / 箱体 | SOIC-8 |
| 增益 | 16 dB |
| 技术 | GaN Si |
| Pd-功率耗散 | 11.6 W |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Id-连续漏极电流 | 1.4 A |
| 晶体管类型 | HEMT |
库存：50,233
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥95.1736
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥95.1736 | ￥95.1736 |
| 10+ | ￥86.3772 | ￥863.7720 |
| 25+ | ￥80.0576 | ￥2,001.4400 |
| 50+ | ￥75.4743 | ￥3,773.7150 |
| 100+ | ￥73.3677 | ￥7,336.7700 |
| 250+ | ￥67.1010 | ￥16,775.2500 |
| 500+ | ￥60.7813 | ￥30,390.6500 |
| 1,000+ | ￥55.7662 | ￥55,766.2000 |
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