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    NPT2022

    射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-2.0GHz 100W Gain 20dB GaN HEMT

    制造商:
    MACOM
    产品类别
    射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
    无铅情况/RoHS:
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

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    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
    安装风格 Screw Mount
    封装 Tray
    最小工作温度 - 40 C
    最大工作温度 + 85 C
    增益 21 dB
    技术 GaN Si
    输出功率 100 W
    晶体管极性 N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 160 V
    Id-连续漏极电流 24 mA
    Vgs-栅源极击穿电压 3 V
    晶体管类型 HEMT

    库存:59,046

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥797.3321
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥797.3321 ¥797.3321
    2+ ¥775.3323 ¥1,550.6646
    5+ ¥757.5545 ¥3,787.7725
    10+ ¥735.4313 ¥7,354.3130
    25+ ¥708.8483 ¥17,721.2075
    50+ ¥686.6018 ¥34,330.0900
    100+ ¥664.4875 ¥66,448.7500

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