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产品规格
产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 |
安装风格 | Screw Mount |
封装 | Tray |
最小工作温度 | - 40 C |
最大工作温度 | + 85 C |
增益 | 21 dB |
技术 | GaN Si |
输出功率 | 100 W |
晶体管极性 | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 160 V |
Id-连续漏极电流 | 24 mA |
Vgs-栅源极击穿电压 | 3 V |
晶体管类型 | HEMT |
库存:59,046
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 1
- 参考单价:
- ¥797.3321
数量 | 单价(含税) | 总计 |
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1+ | ¥797.3321 | ¥797.3321 |
2+ | ¥775.3323 | ¥1,550.6646 |
5+ | ¥757.5545 | ¥3,787.7725 |
10+ | ¥735.4313 | ¥7,354.3130 |
25+ | ¥708.8483 | ¥17,721.2075 |
50+ | ¥686.6018 | ¥34,330.0900 |
100+ | ¥664.4875 | ¥66,448.7500 |
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