QPD1010
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-4GHz 10W 28-50V SSG 25dB PAE 70% GaN
- 制造商：
- Qorvo
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | QPD1010 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Waffle |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 最大工作温度 | + 85 C |
| 封装 / 箱体 | QFN-16 |
| 增益 | 24.7 dB |
| 技术 | GaN SiC |
| 输出功率 | 11 W |
| Pd-功率耗散 | 13.5 W |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 50 V |
| Id-连续漏极电流 | 400 mA |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 145 V |
| 晶体管类型 | HEMT |
库存：58,637
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥127.3359
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥127.3359 | ￥127.3359 |
| 25+ | ￥110.1045 | ￥2,752.6125 |
| 100+ | ￥95.2353 | ￥9,523.5300 |
| 250+ | ￥88.6071 | ￥22,151.7750 |
| 500+ | ￥82.4109 | ￥41,205.4500 |
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