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    2SK3557-6-TB-E

    射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 LOW-FREQUENCY AMPLIFIER

    制造商:
    ON Semiconductor
    产品类别
    射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

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    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
    安装风格 SMD/SMT
    封装 Cut Tape, MouseReel, Reel
    最大工作温度 + 150 C
    封装 / 箱体 SOT-23-3
    技术 SI
    Pd-功率耗散 200 mW
    晶体管极性 N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 15 V
    Id-连续漏极电流 50 mA
    Vgs-栅源极击穿电压 - 15 V
    晶体管类型 JFET
    最大漏极/栅极电压 - 15 V

    库存:53,653

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥2.4150
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥2.4150 ¥2.4150
    10+ ¥1.9479 ¥19.4790
    100+ ¥1.3750 ¥137.5000
    500+ ¥1.1282 ¥564.1000
    1,000+ ¥0.9167 ¥916.7000
    3,000+ ¥0.7933 ¥2,379.9000

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