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| 数据手册 | NPT1012B 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 |
| 安装风格 | Screw Mount |
| 封装 | Tray |
| 最大工作温度 | + 200 C |
| 增益 | 13 dB |
| 技术 | GaN Si |
| Pd-功率耗散 | 44 W |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Id-连续漏极电流 | 4 mA |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 3 V |
| 晶体管类型 | HEMT |
库存：56,413
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥869.8272
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥869.8272 | ￥869.8272 |
| 2+ | ￥845.7914 | ￥1,691.5828 |
| 5+ | ￥826.3918 | ￥4,131.9590 |
| 10+ | ￥802.2855 | ￥8,022.8550 |
| 25+ | ￥773.2875 | ￥19,332.1875 |
| 50+ | ￥749.0666 | ￥37,453.3300 |
| 100+ | ￥724.8986 | ￥72,489.8600 |
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