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| 数据手册 | NPT35015D 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 最大工作温度 | + 200 C |
| 封装 / 箱体 | SOIC-8 |
| 增益 | 10.5 dB |
| 技术 | GaN Si |
| 输出功率 | 1.7 W |
| Pd-功率耗散 | 28 W |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Id-连续漏极电流 | 5 A |
| 晶体管类型 | HEMT |
库存：51,726
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 95
- 参考单价：
- ￥309.3185
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 95+ | ￥309.3185 | ￥29,385.2575 |
| 190+ | ￥299.5879 | ￥56,921.7010 |
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